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IPP80N04S2L-03 |
TO-220-3 | Infineon Technologies | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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IPP80N04S2L-03参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 包装数量：500 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：40V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：80A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.4 毫欧 @ 80A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：213nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6000pF @ 25V 功率 - 最大值：300W 安装类型：通孔 |
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热门型号： Card EdgeABM24DRSD-S288 FET - 阵列WPB4002 Card EdgeHSC06DRTF 矩形- 接头，公引PTC34SABN DC DC ConVYB15W-Q48-D5-H 通孔电阻器CMF6535R700FKR670 晶体管(BJT) 2SC6144 压力P51-50-A-F-M12-4.5V-000-0 Card EdgeHSC10DREN 接口 - 模拟开关MAX336CAI |
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